硅片清洗機物理清洗有三種方法：
?、偎⑾椿虿料?可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。
②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。但高壓噴射會產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。
③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小于 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。
硅片清洗機發(fā)展展望：
伴隨著硅片的大直徑化,器件結(jié)構(gòu)的超微小化、高集成化,對硅片的潔凈程度、表面的化學(xué)態(tài)、微粗糙度、氧化膜厚度等表面狀態(tài)的要求越來越高。
同時,要求用更經(jīng)濟的、給環(huán)境帶來更少污染的工藝獲得更高性能的硅片。高集成化的器件要求硅片清洗要盡量減少給硅片表面帶來的破壞和損傷,盡量減少溶液本身或工藝過程中帶來的沾污。
硅片清洗機正向著小型化、非盒式化及一次完成化(所有清洗與干燥步驟在一個槽內(nèi)進行)方向發(fā)展,以減少工藝過程中帶來的沾污,滿足深亞微米級器件工藝的要求。這無論對清洗工藝還是對清洗設(shè)備都是一個極大的挑戰(zhàn),傳統(tǒng)的清洗方法已不能滿足要求。
臭氧水、兆聲波、電解離子水等的應(yīng)用顯示出很好的去除硅片表面顆粒和金屬沾污的能力,對硅片表面微觀態(tài)的影響很小。而且,它們的使用使清洗設(shè)備小型化及清洗工藝一次完成化的實現(xiàn)成為可能。
同時,它們對環(huán)境的低污染度也是傳統(tǒng)的清洗溶液所不能比擬的。在未來的清洗工藝中它們可能會被廣泛地應(yīng)用。
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更新時間：2018-01-24 
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