ICPECVD沉積技術(shù)

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER ICPECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到z大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10^-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用：

1. 等離子誘導(dǎo)表面改性：就是通常所說的用等離子實(shí)現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)
2. 等離子清洗：去除有機(jī)污染物
3. 等離子聚合：對材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)
4. 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石)，以及其它薄膜
5. CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長：在需要的位置生長CNT或石墨烯。

NPE-4000（ICPM）特點(diǎn)：

• 立式ICPECVD系統(tǒng)
• 不銹鋼或鋁制腔體
• 極限真空可達(dá)10-7Torr
• ICP離子源
• 高達(dá)12”(300mm)直徑的樣品臺
• RF射頻偏壓樣品臺
• 水冷樣品臺
• 可加熱到的800 °C樣品臺
• 加熱的氣體管路
• 加熱的液體傳送單元
• 抗腐蝕的渦輪分子泵組
• z大可支持到8MFC
• 基于LabView軟件的PC計算機(jī)全自動控制
• 菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護(hù)
• 完整的安全聯(lián)鎖