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掩模板清洗機(jī)是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個基片上的分布。掩模板清洗機(jī)技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的大化支持理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍...

熱真空試驗箱測試系統(tǒng)，用于極真空及可控均勻的加熱和冷卻循環(huán)套件下測試器件或樣品。該系統(tǒng)具有計算機(jī)控制、安全連鎖，以及多級密碼授權(quán)訪問保護(hù)的功能。它可以用于超過24小時的圈子全自動熱、冷循環(huán)情況下測試器件/樣品，溫度條件通過程序定義。該系統(tǒng)通常的應(yīng)用之一是太空模擬。熱真空試驗箱腔體的大致尺寸為：直徑24"，長度43"。帶有一個16"x32"的滑動加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個平臺的溫度均勻度可達(dá)/-1...

NMC-4000(M)MOCVD設(shè)備概述：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動控制，*的安全互鎖。目前，這項技術(shù)延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成...

進(jìn)口ALD設(shè)備原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。進(jìn)口ALD設(shè)備特點：占地面積小計算機(jī)控制，Labview軟件全自動工藝控制360A厚的...

兆聲清洗機(jī)是以高頻(850kHz)振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對硅片進(jìn)行清洗為原理的清洗設(shè)備。兆聲清洗機(jī)不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了它的不足。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，大瞬時速度可達(dá)到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。兆聲清洗機(jī)操作規(guī)程：1、遵守鑄造設(shè)備通用操作規(guī)程。2、工作前...

ICP刻蝕機(jī)是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。ICP刻蝕機(jī)主要特點：基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅(qū)動，自動記錄數(shù)據(jù)；觸摸屏監(jiān)控；全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)...

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2,Si3N4,或DLC薄膜到z大可達(dá)6”直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無...

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是納米制造領(lǐng)域的一項著名技術(shù)，在大規(guī)模集成電路、絕緣材料、磁性材料、光電子材料領(lǐng)域有著*的重要地位。通過利用氣相間的反應(yīng)，它能將蒸發(fā)的反應(yīng)物沉積在表面形成薄膜，比如說石墨烯就是CVD廣為認(rèn)知的產(chǎn)物，但目前看來，制備薄膜半導(dǎo)體材料也是它受重視的應(yīng)用之一。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的原理：CVD的研究始于十九世紀(jì)末，主要用于重要材料的合成和制備。若想知道CVD是如何制造特定薄膜的，那就得先了解它的原理。CVD屬于“自下而上”的納米制造技術(shù)，其原理是把含有構(gòu)成...